
研究員
2006年本科畢業(yè)于北京師范大學(xué)物理學(xué)系,北京市優(yōu)秀畢業(yè)生;2011年底博士畢業(yè)于北京大學(xué)電子學(xué)系。2012年1月至2015年3月在中國電子科技集團公司模擬與混合集成電路國防重點實驗室開展超大規(guī)模集成電路工藝整合工作,任SiGe團隊負(fù)責(zé)人,曾于2012年和2014年赴英國Plessy Semiconductors公司和法國ST Microeletronics進(jìn)行SiGe BiCMOS工藝訪問。2015年3月加入中科院重慶院。在國際主流學(xué)術(shù)期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文30余篇,授權(quán)發(fā)明專利22項,主要研究方向為集成電路工藝及碳基電子和光電成像器件。主持國家自然科學(xué)基金、重慶市自然科學(xué)基金重點項目、重慶市產(chǎn)業(yè)示范重點項目等,總經(jīng)費超過1000萬元,并入選2017年度中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會會員。
微納制造與系統(tǒng)集成研究中心
焦平面紅外探測器件及成像系統(tǒng)
2021年度中國化工學(xué)會科學(xué)技術(shù)一等獎,排名第6
[1] Dual-Color Photodetection Based on Speed-Differentiated Photoresponse with High Photogain. Acs Photonics, 2021, 通訊作者.
[2] High-performance mid-infrared photodetection based on Bi2Se3 maze and free-standing nanoplates. Nanotechnology, 2021, 通訊作者.
[3] High-performance broadband photodetector with in-situ-grown Bi2Se3 film on micropyramidal Si substrate. Optical Materials, 2021, 通訊作者.
[4] Broadband photodetector based on 2D layered PtSe2/silicon heterojunction at room-temperature. Physica E, 2020, 通訊作者.
[5] Broadband InSb/Si heterojunction photodetector with graphene transparent electrode. Nanotechnology, 2020, 通訊作者.
[6] Fabrication of hybrid graphene/CdS quantum dots film with the flexible photo-detecting performance. Physica E, 2020, 通訊作者.
[7] Hybrid graphene heterojunction photodetector with high infrared responsivity through barrier tailoring. Nanotechnology, 2019, 第一作者.
[8] Infrared Photodetector Based on the Photothermionic Effect of Graphene-Nanowall/Silicon Heterojunction. Acs Applied Materials & Interfaces, 2019, 通訊作者.
[9] High-performance solar-blind photodetector with graphene and nitrogen-doped reduced graphene oxide quantum dots (rGOQDs). Materials Express, 2018, 通訊作者.
1. “非制冷光電器件研究”,課題負(fù)責(zé)人,920萬,2020.12-2025.11;
2. 中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會會員,項目負(fù)責(zé)人,80萬,2018.01-2021.12;
3. “碳納米墻-硅肖特基結(jié)的熱載流子發(fā)射機理與光電響應(yīng)特性研究”,國家自然科學(xué)基金青年基金,項目負(fù)責(zé)人,20萬,2018.01-2020.12;
4. “石墨烯近紅外探測器開發(fā)與應(yīng)用示范”,重慶市重點產(chǎn)業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新專項重點研發(fā)項目,課題負(fù)責(zé)人,80萬,2017.11-2019.10;
5. “低功耗自整流石墨烯憶阻器的實時調(diào)控和阻變機制研究”,重慶市自然科學(xué)基金重點項目,項目負(fù)責(zé)人,20萬,2015.12-2018.11;